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mos管的作用是什么

来源:莆仙生活网时间:2024-02-17 18:23:19编辑:莆仙君

mos管的作用

mos管的作用:可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。MOS管为压控元件,只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小,常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。MOS管的特性开关特性。MOS管是压控器件,作为开关时,NMOS只要满足Vgs>Vgs(th)即可导通,PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗,导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的,导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中,MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法,一是缩短开关时间,二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制,NMOS的使用场景要远比PMOS广泛,因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。在宽电压的应用场景中,栅极的控制电压很多时候是不确定的,为了保证MOS管的安全工作,很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。

mos管的作用

mos管的作用如下:1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压,电机调速等方面。2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用(类似二极管单向导通),比二极管有优势的地方是压降小、功耗低,导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显;3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用,一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻,优势是生产方便,体积小巧。4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用,与三极管放大电路类似。


mos管通俗易懂的工作原理是什么?

mos管通俗易懂的工作原理:芯片MOS(Metal Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体)管自上世纪中叶时期被发明以来,其工作原理变化不大(但材料和工艺随着制程演进变化较大)。以N型MOS管四端器件为例:NMOS管四端分别是D、G、S、B,即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件(区别于Bipolar的电流控制电流器件特性)。当栅源电压差为0时,漏源之间不会形成电流前段(工作在截止区)。N型MOS管四端器件当栅源电压差小于阈值电压时(工作在亚阈值区),漏源之间有很小的电流,和栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压时,并且漏源电压较大时,漏源之间有较大电流,其与栅源电压成平方关系。若漏源电压较小时,漏源之间有电流,可看成电阻。当然,以上漏端都是人为施加电压,在实际电路中,相同类型器件或者不同类型器件串联在一起时,各个器件根据基尔霍夫电流定律,形成平衡。

mos管可以做开关管用吗?如果用作开关管那工作在什么状态下呢?

可以。如果要工作在开关状态,就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。MOS是电压控制器件,三极管需要较大的控制电流,很多时候需要逐级放大,而MOS管的栅极电流极小,几乎可以忽略,再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低,所以耗散功率小,效率也更高,所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。不过MOS管并不是没有缺点的,由于MOS管的栅电容的天然缺点,会影响开关速度,同样用途的管子,一般BJT要比MOS的速度更快。扩展资料:注意事项:1、为了安全使用MOS管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。2、各类型MOS管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守MOS管偏置的极性。如结型MOS管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压,P沟道管栅极不能加负偏压等。3、MOSMOS管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS管放入塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。参考资料来源:百度百科-mos管参考资料来源:百度百科-开关管

MOS管在开关电路的作用

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。N沟道的MOS管的电路中,BEEP引脚为高电平即可导通,蜂鸣器发出声音,低电平关闭蜂鸣器;P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断,GPS_PWR引脚为低电平时导通,GPS模块正常供电,高电平时GPS模块断电。扩展资料NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模大的集成电路。参考资料来源:百度百科-mos管

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